常规通用

SYSTEM=TITLE

ENCUT=400       #大于POTCAR中的ENMAX或1.2~1.5倍ENMAX

PREC = Medium
EDIFF = 1E-05     #
EDIFFG = -0.02    #常规够用
ISPIN = 2        #若带磁性物质则设置为2，或吸附物质含有孤电子也可设置为2，无磁性则设置为1
NELM = 100
NELMIN = 6
LREAL =.FALSE.

ISMEAR = 0
SIGMA = 0.05
ISIF = 3          #晶胞采用ISIF=3优化，优化后扩胞采用2进行第二步结构优化

IBRION = 2
POTIM = 0.2
NSW = 400

IVDW = 12        #特殊晶体需采用范德华力校正，这里为WO3例子，其它情况需查阅参考文献
VDW S6= 1.000
VDW S8 = 0.7875
VDW A1= 0.4289
VDWA2=4.4407

LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.

针对二维材料，需采用特殊编译版本的vasp进行结构优化，对CONSTR_cell——relax.F进行修改（可以找服务器供应商）

SYSTEM=TITLE

ENCUT = 500
PREC = Normal
EDIFF = 1E-5
EDIFFG = -0.02
ISTART = 0
ICHARG = 1
ISPIN = 2
NELM = 100
NELMIN = 6
LREAL = .FALSE.

ISMEAR = 0
SIGMA = 0.05
ISIF = 3                   #二维材料一般建模两层，可直接用3进行优化，做表面吸附时也可不固定原子位置
IOPTCELL = 1 1 0 1 1 0 0 0 0      #保证c轴不弛豫，其它轴参考vasp wiki

IBRION = 2
POTIM = 0.2
NSW = 400

LUSE_VDM = .TRUE.             #采用DFT-D3修正
IVDW = 12

LWAVE = .FALSE.
LCHARG = .FALSE.

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